Докато Samsung се наслаждава на успеха на Note 8, слуховете за следващото поколение флагмани, вече плъзнаха в интернет пространството. Този път източник е популярният дизайнер Бенджамин Гескин, който в няколко поста в Twitter разкри, че Galaxy S9 и Galaxy S9+ ще имат следващия мощен чип на Qualcomm, Snapdragon 845 и 6 GB опертавина памет, за разлика от спекулациите, които се появиха по-рано.
“The next generation of the innovative Galaxy S8 and S8+“ pic.twitter.com/oN0VeJ4Yib
— Benjamin Geskin (@VenyaGeskin1) October 19, 2017
Galaxy S9: SM-G960F Unlocked single SIM model | SM-G960FD Unlocked Dual SIM model | SM-G960U Unlocked US model | SM-G960V Verizon US model
— Benjamin Geskin (@VenyaGeskin1) October 19, 2017
Both with 6GB RAM + 128GB internal storage with SD slot
Powered by Qualcomm SDM845 (US & China) and Exynos 9 Octa 10nm SoC
— Benjamin Geskin (@VenyaGeskin1) October 19, 2017
Both may be announced at MWC. But if not ready, Samsung may host an event in New York in March.
— Benjamin Geskin (@VenyaGeskin1) October 20, 2017
Гескин потвърждава слуховете, че новият чипсет ще е ексклузивен за Samsung в началото, както се случи и с неговия предшественик Snapdragon 835 по-рано тази година. Това може би е и причината, поради която Google не можа да покаже нещо ново сега, за разлика от миналата година, когато първото поколение Pixel включваше чипсета Snapdragon 821.
Дизайнерът не се ограничи с хордуерните подробности, като сподели, че двата нови модела ще бъдат представени на MWC 2018 на традиционното събитие на Samsung. Според някои по-ранни спекулации, корейският гигант ще запази QHD+ Infinity дисплея и IP68 сертификата за водо и прахо устойчивост.
